Созданы чипы на основе карбида кремния (SiC), что делает их более устойчивыми по сравнению с обычными кремниевыми разработками, которые не выдерживают температуру выше 350 градусов.
Также в НАСА говорят, что раньше огнеупорные чипы были способны работать при относительно высоких температурах, но не более пары часов, новые же разработки выдерживают до 1 700 часов при температуре 500-600 градусов, что в 100 раз больше, чем предыдущий рекорд.
Обычные современные схемы и процессоры, расположенные в компьютерах и ноутбуках сами по себе являются довольно мощными генераторами тепла, так как рассеивают до 100 ватт на квадратный сантиметр, что с трудом позволяет их охлаждать при помощи многочисленных теплоотводных радиаторов и вентиляторов. Применение же карбида кремния кардинально меняет выделение тепла чипами, что делает возможным их использование в двигателях самолетов, промышленном машиностроении, а также в космических кораблях, отправляющихся на такие планеты как Венера или Меркурий.
Помимо этого, SiC-чипы способны работать с более высоким напряжением, не требуя при этом увеличения размеров самой интегральной схемы, что снизит стоимость затрат на запуски космических межпланетных кораблей.
С технической точки зрения, новинки могут послужить решением для использования в системах энергораспределения и управления питанием на кораблях, которые отправятся, например, на Венеру, где температура на поверхности планеты достигает 500 градусов, а давление превышает 100 атмосфер.
В НАСА также рассказали, что первые опыты на базе карбида кремния начали еще в 1993 году, а в 2000 году был создан первый компонент схем, способный передавать электрический ток при 600 градусах.